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                1. 電話:400-0532-778
                  擴散爐

                  LPCVD擴散爐

                  LPCVD擴散爐
                  產品詳情:

                  一. 設備概述:

                  LPCVD低壓化學氣相淀積是半導體集成電路制造的重要工序之一,本設備主要用于:4-6英寸硅片LTO=二氧化硅、SIPOS=含氧多晶硅、SI3N4=氮化硅、PSG=磷硅玻璃、POLY=多晶硅薄膜的生長。它是將原材料氣體(或者液態源氣化)用熱能激活發生化學反應而在基片表面生成固體薄膜。低壓化學氣相淀積是在低壓下進行的,由于氣壓低,氣體分子平均自由程大,使生長的薄膜均勻性好,而且基片可以豎放而裝片量大,特別適用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業的工業化生產專用設備,采用電腦工控機軟件控制方式,是其性能技術指標已經達到國際先進技術水平。 

                  二.設備類型參數:

                  方式:

                  左/右手操作方式,大工作臺面(側面采用高效凈化)

                  可配工藝管數量:

                  1-4管系統

                  可裝片數:

                  200片/管

                  淀積膜種類

                  LTO-二氧化硅、SIPOS-含氧多晶硅、SI3N4-氮化硅、PSG-磷硅玻璃、POLY-多晶硅、TEOS-氧化硅

                  凈化臺潔凈度:

                  100級(10000級廠房)

                  氣體流量控制:

                  均用數字化MFC控制

                  氣路流量設定精度:

                  ±2%FS

                  氣路氣密性:

                  優于1×10-7pa.m3/s

                  送取片方式:

                  自動推拉,采用Sic漿推拉舟

                  推拉桿行程

                  1800mm-2100mm

                  速度:

                  20mm-1000mm/min

                  裝舟方式:

                  自動裝卸石英舟

                  冷卻系統:

                  水冷2~4Kgf/cm2,8L/min;+上接排風冷≈25m3/min;

                  使用類型:

                  3-6寸爐管

                  工作溫度:

                  400~1000℃

                  爐管有效口徑:

                  ¢150-220mm

                  總功率:

                  15-25KVA/管   保溫功率:8-15KVA/管

                  三相五線制:

                  380V±10%,50Hz±10%,次級線不小于35平方高溫線

                  報警:

                  具有超溫報警,斷偶報警,氣體互鎖,氣體緩啟動等功能

                  恒溫區長度及段數:

                  800-1200mm(3-5段控溫)

                  控溫精度及長度靜態閉管測試:

                  ±1℃(≧800℃)

                  單點溫度穩定性:

                  靜態閉管測試≤±1℃/24h

                  控溫方式:

                  工控機 + PLC控制 + 觸摸屏

                  熱偶類型:

                  熱電偶采用S/R型,每管Spike 4-10支熱偶

                  最大可控升溫范圍:

                  (600~1000℃)0--15℃/min

                  最大可控降溫范圍:

                  (1000~600℃)0--10℃/min

                  真空機組:

                  初級直連干泵+羅茨泵

                  系統極限真空度:

                  優于0.5Pa

                  抽速:

                  抽至極限真空時間<10Min。

                  工作壓力范圍:

                  ±0.2Pa/20~133Pa

                  系統漏氣率:

                  停泵關閥后壓升率<1.6pa/min

                  設備總外形尺寸:

                  長*寬*高:6500*1500*3750mm

                   淀積薄膜均勻性(1500情況下):

                  薄膜

                  片內

                  片間

                  批間

                  Si3N4

                  ±3%

                  ±3%

                  ±4%

                  TEOS-SiO2

                  ±3%

                  ±4%

                  ±4%

                  Poly-Si

                  ±3%

                  ±4%

                  ±4%

                   三、主要構成:

                  1、

                  設備主機

                  2、

                  加熱系統

                  3、

                  排風冷卻系統

                  4、

                  排毒箱(和設備主機做為一體)

                  5、

                  凈化工作臺

                  6、

                  控制系統

                  7、

                  自動碳化硅漿推拉舟機構

                  8、

                  真空機組系統

                   四、設備主要特點和優勢

                   1★具有強大的軟件功能,友好的人機界面,用戶可以方便地修改工藝控制參數,并可隨時顯示各種工藝狀態;配有故障自診斷軟件,可大大節省維修時間; 
                   2★采用高可靠性工控機+PLC模式,對爐溫、進退舟、氣體流量、閥門進行全自動控制,實現全部工藝過程自動化; 
                   3★程序可以實現手/自動工作,在停電或中途停機后,再次啟動可以根據工藝手動升溫,節省工藝時間; 
                   4★具有多種工藝管路,可供用戶方便選擇; 
                   5★冷端采用PT100檢測環境溫度進行溫度補償,避免環境溫度變化,對爐膛溫度產生影響,避免層間干擾; 
                   6★推拉舟裝載采用Sic懸臂漿,避免與工藝管摩擦產生粉塵,推拉舟運行完一個周期,自動校準位置,有效防止定位偏差; 
                   7★氣體流量采用數字化精確控制,采用模擬信號閉環控制,強弱電分開,各種數據交互采用標準總線,提高抗干擾能力,保證數據安全;氣體打開具有緩啟動功能; 
                   8★具有多種報警功能及安全保護功能;
                   9★恒溫區自動調整,串級控制,可準確控制反應管的實際工藝溫度;


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